RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.8 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 2542

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
модули RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
модули RAM