RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link