RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link