RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link