RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905668-001.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
70
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
70
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
9.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1363
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link