RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905702-006.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link