RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston 9905713-019.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link