RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2071
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link