RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
56
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
56
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2071
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link