RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KHYXPX-MID 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2127
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MID 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link