RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston KKN2NM-MIE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2174
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link