RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston XW21KG-MIE2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link