RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Kingston XW21KG-MIE2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link