RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
44
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link