RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2701
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link