RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link