RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2581
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link