RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link