RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
49
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link