RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2396
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link