RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2284
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link