RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link