RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link