RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link