RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2130
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link