RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link