RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link