RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3164
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link