RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2622
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link