RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link