RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link