RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link