RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link