RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
68
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
68
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1812
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link