RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 34
    Около 18% меньшая задержка
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Причины выбрать
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.9 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 2562

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
модули RAM
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
модули RAM