RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
62
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link