RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link