RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2366
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link