RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3689
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link