RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link