RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link