RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
65
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
65
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2041
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link