RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link