RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB Причины выбрать
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 62
    Около -121% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.3 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 14.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 10.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 2310

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
модули RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
модули RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
модули RAM