RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link