RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link