RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3410
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link