RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
62
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
21
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link