RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link