RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
67
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
67
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1895
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link