RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
12.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link