RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link