RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
11.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2475
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link