RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3013
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link